IXFA 3N120
IXFP 3N120
6
Fig. 7. Input Admittance
8
Fig. 8. T ransconductance
5
4
3
7
6
5
4
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
2
1
0
T J = 120 o C
25 o C
-40 o C
3
2
1
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
1.5
3
4.5
6
7.5
9
9
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
8
7
6
5
8
6
V D S = 600V
I D = 1.5A
I G = 10mA
4
3
2
1
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
8
16
24
32
40
48
10000
1000
100
10
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
C iss
C oss
C rss
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maximum T ransient Thermal
Resistance
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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